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"本征载流子"相关考试题目
1.
某一处于热平衡状态下的非简并半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3,当温度为300 K时杂质已全部电离,已知本征载流子浓度为ni=1015 cm-3,则电子和空穴浓度分别为( )
2.
n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。
3.
已知T=300K，硅的本征载流子浓度为ni=1．5×1010cm-3，硅PN结N区掺杂为ND=1．5×1016cm-3，P区掺杂为NA=1．5×1018cm-3，求平衡时的势垒高度。
4.
室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
5.
含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在500K时的电子浓度。
6.
对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
7.
试推导本征载流子浓度的表达式： 试推导本征载流子浓度的表达式：
8.
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
9.
相同温度下，禁带宽度越大的半导体其本征载流子浓度越高。
10.
含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时的电子浓度。
11.
证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系： (式中ni为本征载流子浓度， 是空穴与电子迁移率比值，ND和NA分别为施主和受主浓度，q是电子的电量) ； 证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系： (式中ni为本征载流子浓度， 是空穴与电子迁移率比值，ND和NA分别为施主和受主浓度，q是电子的电量) ；
12.
掺杂浓度越高，本征载流子浓度越高
13.
轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低
14.
已知室温300K下，硅的本征载流子浓度为，现有三块半导体硅材料，它们的空穴浓度分别为，，，计算第一块材料的电子浓度。
15.
掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
16.
对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μn=1350cm2/V·s，μp=5001350cm2/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10-19C，本 征载流子浓度ni=1010cm-3，硅的原子密度为5×1022cm-3，Nc=Nv=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln200=5.3。试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。
17.
室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3.
18.
轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低
19.
以下4种不同掺杂情况的半导体，室温下少子浓度最高的是 。 （已知室温时：Si的本征载流子浓度，Ge的本征载流子浓度）
20.
含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
21.
有一块掺磷的n型硅，，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，温度为800K时，本征载流子浓度，试计算300K时价带中空穴浓度？
22.
室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10 /cm 。
23.
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
24.
半导体禁带宽度越大,本征载流子浓度越小。
25.
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
26.
为什么说本征载流子浓度与温度有关？
27.
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?
28.
室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm2
29.
对于给定的半导体，随着温度升高，本征载流子的浓度（）
30.
在热平衡状态下,半导体中的多子浓度大于本征载流子浓度。( )
31.
利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
32.
杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度。
33.
掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，可以使用下列哪个公式来计算室温时样品的电阻率。
34.
杂质半导体中少数载流子比本征载流子的浓度小
35.
对同一材料，本征载流子浓度随温度T（）。
36.
含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时的空穴浓度。
37.
室温300K，硅的本征载流子浓度为，一块p型硅样品电阻率为0.5Ωcm，电子迁移率，空穴迁移率，试求电子的浓度。
38.
对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
39.
对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μn=1350cm2/V·s，μp=5001350cm2/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10-19C，本 征载流子浓度ni=1010cm-3，硅的原子密度为5×1022cm-3，Nc=Nv=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln200=5.3。画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于EC的位置
40.
对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致本征载流子浓度（）。
41.
对一定的半导体,其本征载流子浓度( )。
42.
已知室温300K下，硅的本征载流子浓度为，现有三块半导体硅材料，它们的空穴浓度分别为，，，计算第三块材料的电子浓度。
43.
在T=200K时硅中的本征载流子浓度是（ ）
44.
掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,试计算室温时多数载流子浓度。
45.
半导体中载流子浓度n0=1014cm-3，本征载流子浓度ni=1010cm-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn0=10-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。
46.
对于一定的半导体材料,掺杂浓度降低将导致禁带宽度和本征载流子浓度( )
47.
已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010 cm-3，试求掺磷浓度为1.5´1013 cm-3，掺硼浓度为1.0´1013 cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。( )
48.
试说明在室温下，某半导体的电子浓度时，其电导率σ为最小值。式中ni是本征载流子浓度，μp、μn分别为空穴和电子的迁移率。试求在上面条件时空穴浓度。
49.
轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低
50.
室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，求该掺杂锗材料的电阻率，μn=3600cm2/v˙s，μp=1700cm2/v˙s，ni=2.5×1013/cm3。
