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【简答题】

对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μn=1350cm2/V·s，μp=5001350cm2/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10-19C，本 征载流子浓度ni=1010cm-3，硅的原子密度为5×1022cm-3，Nc=Nv=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln200=5.3。
画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于EC的位置

题目标签：杂质半导体载流子迁移率载流子浓度
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参考答案：
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举一反三

【判断题】对于同种材料,单晶形态的载流子迁移率通常高于多晶形态的载流子迁移率。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】载流子迁移率的量纲是（）
A.
m2/（v.s）
B.
m/s
C.
v/m
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【单选题】载流子迁移率的量纲是（）
A.
m2/（v.s）
B.
m/s
C.
v/m
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【简答题】说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？
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【多选题】张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（ ）
A.
增加能级分裂，抑制能谷散射
B.
减小载流子有效质量
C.
抑制界面态的库伦散射作用
D.
减小MOS界面粗糙度
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【判断题】减小载流子有效质量与减小散射可以提高载流子迁移率。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】杂质半导体分为（）、（）
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【判断题】禁带宽度决定半导体的载流子迁移率
A.
正确
B.
错误
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【多选题】决定半导体的载流子迁移率的因素有（ ）。
A.
禁带宽度
B.
电导有效质量
C.
状态密度有效质量
D.
温度
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【简答题】杂质半导体按导电类型分为________半导体和________半导体。
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