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【简答题】
半导体中载流子浓度n0=1014cm-3，本征载流子浓度ni=1010cm-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn0=10-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【单选题】已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010 cm-3，试求掺磷浓度为1.5´1013 cm-3，掺硼浓度为1.0´1013 cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。( )
A.
n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV
B.
n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV
C.
n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
D.
n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV