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【判断题】

轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低

A.

正确

B.

错误

题目标签：本征载流子载流子浓度型半导体

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3

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【单选题】在P型半导体中_______。

A.

只有自由电子一种载流子

B.

只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴

C.

只有空穴一种载流子

D.

只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。

A.

正确

B.

错误

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【单选题】P型半导体靠()导电

A.

正电荷

B.

负电荷

C.

空穴

D.

自由电子

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【简答题】P型半导体的多子为、N型半导体的多子为。

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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。

A.

8.2Ω·cm

B.

47.9Ω·cm

C.

17.4Ω·cm

D.

70.6Ω·cm

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【单选题】含有施主杂质浓度及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。

A.

B.

C.

D.

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【多选题】下列材料属于N型半导体的是（）。

A.

硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、砷（As）

B.

砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁

C.

磷化铟中掺有杂质锌（Zn）、镉（Cd）

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【单选题】P型半导体的多子是

A.

自由电子

B.

空穴

C.

带正电离子

D.

带负电离子

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【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。

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