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"准费米能级"相关考试题目
1.
对于非平衡少子统计时使用的准费米能级,在具体计算时使用的浓度计算公式是和平衡态的一样的。
2.
通过推导可以得到准费米能级的梯度就是电场
3.
为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级?费米能级和准费米能级有何区别?
4.
为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布,引入了准费米能级的概念。如果用 和 分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示( )
5.
一般在非平衡状态时，多数载流子的准费米能级偏离较大。（ ）
6.
一半导体Na=1016cm-3，τn=10μs，ni=1010cm-3，GL=1018cm-3·s-1，计算300K时(室温)的准费米能级．
7.
处于非平衡态的空穴准费米能级( )平衡态的费米能级。
8.
关于准费米能级，下列说法正确的是
9.
P型半导体受到光照后，产生非平衡电子和空穴，引入电子准费米能级EFn和空穴准费米能级EFp表征处于非平衡状态的电子浓度和空穴浓度。EFn和EFp相比于热平衡状态的费米能级EF偏移程度满足EFn-EF( )EF-EFp
10.
示意画出P型半导体在光照（小注入）前后的能带图，并标出原来的费米能级和光照下的准费米能级。
11.
在非平衡态时，往往是多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能级偏离较大
12.
为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？
13.
引进准费米能级是因为__________?
14.
Pn结正向大注入条件下，p区和n区的准费米能级间的差距小于qV，因为一部分外加电压V降落在大注入区。
15.
某半导体室温时空穴浓度为 10 15 cm -3 ,电子浓度为 10 5 cm -3 ,用光照均匀产生非平衡载流子的浓度为 10 10 cm -3 ,其电子准费米能级与空穴准费米能级的差值约为________eV。
16.
热平衡状态的标志是系统具有 的费米能级，准费米能级是导带和价带的 费米能级。
17.
N 型硅,电子迁移率是空穴迁移率的二倍,少子寿命为 1 微秒,温度 300K 时热平衡电子浓度为 10 15 cm -3 。现用光照射该样品,光被半导体均匀吸收,电子和空穴对的产生率是 10 20 cm -3 ·s -1 ,试计算 : 1. 光照产生的非平衡载流子浓度 2. 电子和空穴的准费米能级 3. 光照前后电导率的变化率 4. 光照突然停止 1 微秒后,半导体中非平衡载流子浓度
18.
关于准费米能级，以下说法正确的是：
19.
为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布,引入了准费米能级的概念。如果用 和 分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示( )A. B. C. D.
20.
在300K,p型硅的半导体的费米能级在价带上方0.15eV,由于光照,在半导体中产生非平衡空穴的密度为 ,则求电子准费米能级比热平衡时费米能级之间的能量差()eV?
21.
有外加电压情况下,在势垒区 , 扩散区 , 电子和空穴有不同的准费米能级。
22.
处于非平衡态的电子准费米能级( )平衡态的费米能级。
23.
N型半导体材料非平衡时的导带准费米能级略高于热平衡费米能级。
24.
简单解释费米能级和准费米能级，说明它们的主要区别。
25.
pn结反偏情况下,电子准费米能级高于空穴准费米能级。
26.
光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
27.
关于准费米能级,以下说法正确的是:
28.
为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？
29.
准费米能级的梯度是载流子浓度梯度和电势梯度共同作用的结果。
30.
(1)一块硅样品，Nd=1015cm-3，τp=1μs，光照产生率GL=5×1019cm-3·s-1，计算它的电导率和准费米能级． (2)求产生的空穴浓度为1015cm-3的GL值，它的电导率和费米能级是多少?
31.
下列哪个符号能表示电子的准费米能级()
32.
为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布，引入了准费米能级的概念。如果用【图片】和【图片】分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示（ ）A. B. C. D.
33.
掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。
34.
关于某种杂质半导体的准费米能级，以下描述正确的是？
35.
为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布，引入了准费米能级的概念。如果用EFp和EFn分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示（ ）。A. B. C. D.
36.
掺施主浓度 ND=1015cm-3的 n 型硅,由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这 种情况下的准费米能级位置,并和原来的费米能级作比较。
37.
电子准费米能级与空穴准费米能级之间的距离，可以说明半导体偏离平衡状态的程度
38.
关于准费米能级，以下说法正确的是：（）
39.
准费米能级
40.
画出 p 型半导体在光照(小注入)前后的能带图,标出原来的的费米能级和光照时的准费米能 级。
41.
施主浓度Nd=1015cm-3的N型硅．由于光的照射产生了非平衡载流子△n=△p=1014cm-3，试计算这种情况下准费米能级的位置，并与原来的费米能级进行比较．
42.
准费米能级 名词解释
43.
半导体中载流子浓度n0=1014cm-3，本征载流子浓度ni=1010cm-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn0=10-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。
44.
在n型半导体中,光照产生过剩载流子,空穴相对于电子来说准费米能级偏离费米能级更远。
45.
画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。
46.
什么是费米能级？什么是准费米能级？
47.
(1)一块硅样品，N d =10 15 cm -3 ，τ p =1μs，光照产生率G L =5×10 19 cm -3 ·s -1 ，计算它的电导率和准费米能级． (2)求产生的空穴浓度为10 15 cm -3 的G L 值，它的电导率和费米能级是多少?
48.
关于“准费米能级”，说法正确的是：
49.
在非平衡时，电子浓度可以用电子的准费米能级EFn来表示，则表达式为
50.
多数载流子的准费米能级偏离平衡费米能级比少数载流子多。
