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【简答题】
N 型硅,电子迁移率是空穴迁移率的二倍,少子寿命为 1 微秒,温度 300K 时热平衡电子浓度为 10 15 cm -3 。现用光照射该样品,光被半导体均匀吸收,电子和空穴对的产生率是 10 20 cm -3 ·s -1 ,试计算 : 1. 光照产生的非平衡载流子浓度 2. 电子和空穴的准费米能级 3. 光照前后电导率的变化率 4. 光照突然停止 1 微秒后,半导体中非平衡载流子浓度
参考答案：
参考解析：
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举一反三
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2