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【判断题】

在n型半导体中,光照产生过剩载流子,空穴相对于电子来说准费米能级偏离费米能级更远。

A.
正确
B.
错误
题目标签：过剩载流子费米能级准费米能级
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
A.
1/4
B.
3/4
C.
1/3
D.
2/3
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【单选题】当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
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【简答题】[名词解释] 过剩载流子
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【判断题】费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
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【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
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【单选题】温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
A.
0
B.
1/4
C.
1/2
D.
1
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【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】画出 p 型半导体在光照(小注入)前后的能带图,标出原来的的费米能级和光照时的准费米能 级。
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