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【单选题】

​n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。​

A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
题目标签：本征载流子电子浓度载流子浓度
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】为什么说本征载流子浓度与温度有关？
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【单选题】P型半导体中，电子浓度ni （ ） 空穴浓度pi 。
A.
大于
B.
小于
C.
等于
D.
大于等于
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【单选题】N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )
A.
小于
B.
等于
C.
不确定
D.
大于
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【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
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【简答题】N 型半导体的电子浓度 空穴浓度; PN 结加反向电压时,空间电荷区将 。
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【多选题】选出电子浓度为21/14的化合物。
A.
Cu5Si
B.
Cu5Zn8
C.
Cu3Sn
D.
CuBe
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