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"电子浓度"相关考试题目
1.
P型半导体中,自由电子浓度 空穴浓度。
2.
在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。
3.
下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为1.0×10^19cm^-3 ，则Si-SiO2界面处的电子浓度为 cm^-3
4.
2009国际天文年是由国际天文学联合会和联合国教科文组织发起的全球性活动,希望通过天文观察,帮助人们重新认识他们在宇宙中的位置,从而激发个人的探索发现精神。读下图回答下列各题。 小题1:读图，有关描述太阳活动与昼夜电离层电子浓度的高度分布特征正确的是： A．电离层电子浓度最高值出现的高度,白天高于夜间 B．电离层电子浓度太阳活动高年要大于太阳活动低年 C．100—200千米处高空电离层电子浓度随高...
5.
霍尔电压的大小与自由电子浓度和霍尔片的厚度无关。
6.
n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。
7.
我们将具有相同电子浓度和空穴浓度的半导体称为本征半导体。( )
8.
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
9.
E层电子浓度变化的特点是( ):
10.
求出绝对零度时费密能、电子浓度n、能态密度N()及电子比热与费密半径的关系．
11.
设某一样品在温度为T0时测得的霍尔系数R(T0)=0，以及电导率σ(T0)=σ0。在稍微低于T0的温度时所有受主全部电离，空穴浓度达到饱和值ps=Na-Nd，这时可认为电子浓度n≈0。当温度升高进入本征区时空穴浓度p=ps+n，若取T0时的空穴浓度近似与本征时的相等，试证明
12.
因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数小于金属。（ ）
13.
下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )。
14.
太阳活动是指太阳大气的不稳定性所导致的一些明显现象，处于活动剧烈期的太阳释放出大量紫外线、x射线、粒子流等，因而往往引起地球上磁暴和电离层扰动等现象。据此回答小题。 小题1:读下图，有关描述太阳活动与昼夜电离层电子浓度的高度分布特征正确的 是( ) A．电离层电子浓度最高值出现的高度,白天高于夜间 B．电离层电子浓度太阳活动高年要大于太阳活动低年 C．100～200 km处高空电...
15.
影响金属化合物的形成及结构的主要因素有负电性、电子浓度和原子尺寸等。
16.
在P型半导体中，自由电子浓度（ ）空穴浓度。
17.
电子浓度是（ ）总数和原子总数的比值。
18.
N型半导体的电子浓度 空穴浓度(填大于、小于或等于)
19.
金属中价电子浓度越大，价电子的平均动能如何变化？
20.
（1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σmin的表达式。 （2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的）
21.
N型半导体中的自由电子浓度___ 空穴浓度（ ）
22.
PN结中,P型区的自由电子浓度远大于N型区的自由电子浓度。
23.
在____中，空穴浓度大于电子浓度。
24.
根据主教材表5.1中给出的金属电子浓度n的数值，(1) 写出金属铅的伦敦长度λL，与归一化的超导浓度|Ψ|2=ns/n之间的关系式，其中所有的参数要给出具体数值和单位。(2) 当伦敦长度在100～1000的范围内时，ns/n在什么范围内?
25.
在本征半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。
26.
有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
27.
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
28.
金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
29.
室温下，非简并Si中的电子浓度等于空穴浓度，则其费米能级位于（ ）。
30.
金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用 N型半导体材料。
31.
2009国际天文年是由国际天文学联合会和联合国教科文组织发起的全球性活动,希望通过天文观察,帮助人们重新认识他们在宇宙中的位置,从而激发个人的探索发现精神。读下图回答下列各题。 小题1:读图，有关描述太阳活动与昼夜电离层电子浓度的高度分布特征正确的是： A．电离层电子浓度最高值出现的高度,白天高于夜间 B．电离层电子浓度太阳活动高年要大于太阳活动低年 C．100—200千米处高空...
32.
在本征半导体中,自由电子浓度 空穴浓度
33.
某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3，电子迁移率为1000cm2／(V.s)，求其电阻率。
34.
P型半导体中，电子浓度ni （ ） 空穴浓度pi 。
35.
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
36.
N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )
37.
F1层峰电子浓度大约位于哪个高度？
38.
求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N（E0F）与费密半径k0F的关系.
39.
本征半导体电子浓度ni （ ）空穴浓度pi 。
40.
影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和电子浓度也有影响
41.
N 型半导体的电子浓度 空穴浓度; PN 结加反向电压时,空间电荷区将 。
42.
在P型半导体中,当温度升高时,自由电子浓度会增加,而空穴浓度保持不变。
43.
金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不宜做霍尔元件。而半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料
44.
以电子浓度因素起主导作用而生成的化合物称()。
45.
金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
46.
自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
47.
选出电子浓度为21/14的化合物。
48.
D层最下部电子浓度出现明显的白天大夜间小特征主要是因为银河宇宙线的日变化。
49.
室温下本征锗的电阻率为47Ω˙cm，求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴尝试，设杂质全部电离，锗原子的浓度为4.4×1022/cm3，求该掺杂锗材料的电阻率，μn=3600cm2/v˙s，μp=1700cm2/v˙s，ni=2.5×1013/cm3。
50.
金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不宜做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料。
