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【简答题】
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱