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"杂质浓度"相关考试题目
1.
扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（）法测试。
2.
实际的PN结，P区和N区杂质浓度相等。 ( )
3.
杂质半导体中杂质浓度越高，少子的浓度（ ）。
4.
当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L 时，将出现成层沉降。
5.
对于水系统集成中的杂质-浓度图说法正确的是：
6.
杂质浓度越大，迁移率
7.
迁移率与杂质浓度和温度的关系为：
8.
当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
9.
一般PN二极管，其杂质浓度比约为（）
10.
室温时,n型半导体的电子迁移率随杂质浓度升高而 [ ]
11.
净洗过程中织物上的污杂质浓度小于洗液中的污杂质浓度。
12.
区熔提纯时，影响杂质浓度极限分布的主要因素是 ( )
13.
表面杂质浓度低时，随温度升高，压阻系数下降较快。
14.
当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数增加。
15.
二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
16.
三极管的基区薄且杂质浓度( ),发射区杂质浓度( ),集电区面积大且杂质浓度( )。
17.
通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
18.
杂质半导体掺入的杂质浓度越高,导电能力就越( )。
19.
当半导体的杂质浓度偏低，而温度很高时，哪种散射机构起主要作用？
20.
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
21.
相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
22.
设硅线性缓变结的杂质 浓度梯度 为 5x10 23 cm -4 , V D 为 0.7V ,求反向电压为 8V 时的势垒区宽度。
23.
三极管的制作工艺措施是:( )区很薄且杂质浓度低。
24.
室温时,p型半导体的电子迁移率随杂质浓度升高而 [ ]
25.
水中杂质浓度低，混凝效果差原因是（）
26.
实际的PN结，P区和N区杂质浓度相等。 ( )
27.
反应器中原料乙烯中杂质浓度的增加树脂密度增加。
28.
在某半导体掺入硼的浓度为10 14 cm -3 ,磷为10 15 cm -3 ,则该半导体为()半导体;其有效杂质浓度约为()。
29.
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关
30.
通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
31.
通常情况下,当氧化物在杂质浓度较低时,其在高温条件下引起的扩散主要是 ( ) 。
32.
通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
33.
硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
34.
砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
35.
当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
36.
已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3， 求势垒高度和势垒宽度（300K时）。 已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3，
37.
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
38.
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
39.
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
40.
三极管的三个区中,掺杂杂质浓度最高的是( )。
41.
若锗中杂质电离能△E D =0.01eV，施主杂质浓度分别为N D =10 14 cm -3 及10 17 cm -3 ，计算
42.
当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
43.
为减少杂质浓度，一般都是在浓溶液中进行沉淀。()
44.
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
45.
通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
46.
实际的PN结，P区和N区杂质浓度相等。()
