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【单选题】

室温时,p型半导体的电子迁移率随杂质浓度升高而 [ ]

A.
升高
B.
降低
C.
先降低再升高
D.
先升高再降低
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题目标签：杂质浓度型半导体电子迁移率
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】在P型半导体中_______。
A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】P型半导体靠()导电
A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
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【简答题】P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 。
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【单选题】N 型半导体又称为什么 半导体
A.
电子型
B.
空穴型
C.
质子型
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【判断题】电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【多选题】下列材料属于N型半导体的是（）。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼（B）、砷（As）
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌（Zn）、镉（Cd）
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【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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【简答题】设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
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