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【简答题】
设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
参考答案：
参考解析：
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举一反三
相关题目：
【判断题】平均自由程与分子数密度成反比。
A.
正确
B.
错误
【判断题】分子平均自由程与分子有效直径无关 。
A.
正确
B.
错误
【单选题】发生努森扩散时,孔径比气体分子的平均自由程 。
A.
小
B.
相等
C.
不确定
D.
大
【判断题】电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
A.
正确
B.
错误
【判断题】当气体分子的平均自由程大于泄露通道的特征尺寸时为分子流。
A.
正确
B.
错误
【判断题】金属材料的电子迁移率很高,所以金属材料更适宜于制作霍尔元件
A.
正确
B.
错误
【判断题】流体的指点密度越低，质点迁移的自由程越大
A.
正确
B.
错误
【单选题】光电子平均自由程最小的光电子具有的能量是（）
A.
10eV
B.
100eV
C.
550eV
D.
700eV
【多选题】根据金属沿横向流动的自由程度，宽展分为（ ）。
A.
滑动宽展
B.
自由宽展
C.
限制宽展
D.
强迫宽展
【判断题】同种气体在温度一定时,平均自由程与压强成反比。
A.
正确
B.
错误
【判断题】孤立棒栅元假设是假定燃料块间的距离大于中子在慢化剂内的平均自由程。
A.
正确
B.
错误
【判断题】平均自由程就是各个分子在两次碰撞间走过的路程。
A.
正确
B.
错误
【单选题】非晶体的平均自由程几乎在所有温度范围内近似为常数。（ ）
A.
正确
B.
错误