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举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】有关阴离子间隙正确的是（）。
A.
指细胞外液中所测得阳离子总数和阴离子总数之差
B.
计算公式为AG=（Na++K+）-（Cl﹣HCO3﹣）
C.
正常参考值为8～16mmol／L
D.
代谢紊乱，酸性产物增加，导致代谢性酸中毒最为多见
E.
糖尿病时脂肪代谢紊乱酮体增加可致AG增加
【单选题】某盐的溶液中含有Na+、Mg2+、Cl-、SO42-四种离子，若Na+为0.2mol，Mg2+为0.4mol，Cl-为0.4mol，则SO42-物质的量为（ ）
A.
0.1mol
B.
0.3mol
C.
0.5mol
D.
0.15mol
【单选题】下列电解质溶液中,离子平均活度系数最大的是 ( ) ( 设浓度都为 0.01 mo l ·kg - 1 )。
A.
KCl
B.
CaCl 2
C.
Na 2 SO 4
D.
AlCl 3
相关题目：
【单选题】EDTA与金属离子生成（）
A.
螯合物
B.
聚合物
C.
离子交换剂
D.
非化学计量的化合物
【单选题】酸就是氢离子，碱就是氢氧根离子。
A.
正确
B.
错误
【单选题】在pH=13的无色溶液中，可以大量共存的一组离子是（）。
A.
B.
C.
D.
【单选题】在PH=1的含Ba2+的溶液中，还能大量存在的离子是（）
A.
AlO2-
B.
ClO-
C.
Cl-
D.
SO42－
E.
CO32－
【多选题】质谱中峰的类型有：（）
A.
碎片离子峰
B.
重排离子峰
C.
负离子峰
D.
分子离子峰
E.
同位素离子峰
【单选题】不属于串联四极杆线性离子阱质谱独有的扫描方式的是？（）
A.
增强分辨扫描
B.
增强子离子扫描
C.
MS/MS/MS
D.
选择离子扫描
【单选题】快原子轰击质谱为
A.
FD-MS
B.
EI-MS
C.
FAB-MS
D.
LSI-MS
E.
ESI-MS
【单选题】下列属于多级质谱的是（）。
A.
四级杆质谱
B.
飞行时间质谱
C.
离子阱质谱
D.
磁质谱
【单选题】钠离子由细胞内移到细胞外是
A.
出胞作用
B.
单纯扩散
C.
载体介导转运
D.
主动转运
E.
通道介导转运
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【单选题】下列哪一个不属于质谱的质量分析器？（）
A.
电子倍增器
B.
离子阱
C.
四级杆
D.
飞行时间
【单选题】肾小管分泌钾离子的主要部位是 【 】
A.
远曲小管
B.
远曲小管和集合管
C.
髓袢升支
D.
髓袢降支
E.
集合管
【多选题】质谱检测器类型有()
A.
电子倍增管
B.
渠道式电子倍增器阵列
C.
紫外检测器
D.
火焰光度检测器
【多选题】有关阴离子间隙正确的是（）。
A.
指细胞外液中所测得阳离子总数和阴离子总数之差
B.
计算公式为AG=（Na++K+）-（Cl﹣HCO3﹣）
C.
正常参考值为8～16mmol／L
D.
代谢紊乱，酸性产物增加，导致代谢性酸中毒最为多见
E.
糖尿病时脂肪代谢紊乱酮体增加可致AG增加
【多选题】丁基苯在质谱中常出现的特征离子有（）
A.
92
B.
77
C.
65
D.
91
【单选题】离子健的主要特征是（）。
A.
方向性和饱和性
B.
方向性和不饱和性
C.
无方向性和饱和性
D.
无方向性和不饱和性
【单选题】液体二次离子质谱为（）
A.
FD-MS
B.
EI-MS
C.
FAB-MS
D.
LSI-MS
E.
ESI-MS
【单选题】某盐的溶液中含有Na+、Mg2+、Cl-、SO42-四种离子，若Na+为0.2mol，Mg2+为0.4mol，Cl-为0.4mol，则SO42-物质的量为（ ）
A.
0.1mol
B.
0.3mol
C.
0.5mol
D.
0.15mol
【单选题】下列电解质溶液中,离子平均活度系数最大的是 ( ) ( 设浓度都为 0.01 mo l ·kg - 1 )。
A.
KCl
B.
CaCl 2
C.
Na 2 SO 4
D.
AlCl 3
【单选题】下列哪一个是串联质谱的定量方式？（）
A.
多反应监测
B.
前体离子扫描
C.
中性碎片丢失扫描
D.
子离子扫描