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【判断题】

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关

A.
正确
B.
错误
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题目标签：阈值电压杂质浓度绝缘栅
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】滞回电压比较器有( )个阈值电压。
A.
0
B.
1
C.
2
D.
3
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】在场效应管直流电路模型中，绝缘栅场效应管工作在饱和区时的电流表达式是（），工作在非饱和区时的电流表达式是（）；结型场效应管工作在饱和区时的电流表达式是（），工作在非饱和区时的电流表达式是（）。【图片】
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部分四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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【判断题】滞回比较器和窗口比较器的阈值电压数目相同。( )
A.
正确
B.
错误
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
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