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【简答题】

已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3，

求势垒高度和势垒宽度（300K时）。

已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3，

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题目标签：杂质浓度势垒高度突变结
参考答案：
参考解析：
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举一反三

【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为：N d =10 15 cm -3 ，N a =4×10 20 cm -3 ．在室温下计算：
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【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
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【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【多选题】单边突变结（one-sided step junction）的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
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