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"突变结"相关考试题目
1.
硅突变结二极管的掺杂浓度为：N d =10 15 cm -3 ，N a =4×10 20 cm -3 ．在室温下计算：
2.
假设一个P+N突变结,且 ,则有 。
3.
假设一个p+n突变结，且，则有。
4.
若设一个硅突变结，其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3，ND=4.5×1015/cm3，求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时，求xD值。
5.
单边突变结
6.
已知硅的突变结两边掺杂浓度各为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3，
7.
对于单边突变结，I-V特性由（）决定
8.
硅突变结二极管的掺杂浓度为：Nd=1015cm-3，Na=4×1020cm-3．在室温下计算：
9.
超突变结
10.
突变结近似
11.
突变结近似
12.
单边突变结（one-sided step junction）的特点是
13.
[名词解释] 突变结近似
14.
已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/(V·s)，μp=300cm2/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
15.
p + n 突变结的势垒电容,主要随_________而减少。
16.
对于单边突变结，
17.
超突变结
18.
[名词解释] 单边突变结
19.
下列PN结中,不属于突变结的是( )。zz
20.
[名词解释] 超突变结
