已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/(V·s)，μp=300cm2/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。