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【简答题】

单边突变结

题目标签：突变结单边突变结

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为：N d =10 15 cm -3 ，N a =4×10 20 cm -3 ．在室温下计算：

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【单选题】对单边突变结提高雪崩击穿电压主要

A.

降低轻掺杂一侧掺杂浓度

B.

增加轻掺杂一侧掺杂浓度

C.

降低重掺杂一侧掺杂浓度

D.

增加重掺杂一侧掺杂浓度

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【判断题】单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧,最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.

正确

B.

错误

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【单选题】对于单边突变结，I-V特性由（）决定

A.

过渡区

B.

轻掺杂区

C.

中性区

D.

重掺杂区

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【简答题】超突变结

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【单选题】以PN结耗尽区内的最大电场|E|max达到临界击穿电场Ec作为雪崩击穿的条件。某硅单边突变结的临界电场Ec为3.5x10^5V•cm-1,开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度为Xd=5.72um,PN结的雪崩击穿电压VB为

A.

70V

B.

50.5V

C.

100.1V

D.

200.2V

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【简答题】单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

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【多选题】单边突变结（one-sided step junction）的特点是

A.

P区和n区的掺杂浓度是均匀的

B.

P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的

C.

P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大

D.

P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别

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【单选题】单边突变结的势垒宽度随着低掺杂一边的杂质浓度的大而( )。

A.

升高

B.

下降

C.

不变

D.

不确定

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【简答题】对于单边突变结和线性缓变结，空间电荷区宽度的指数分别为（）和（）。

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