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"单边突变结"相关考试题目
1.
对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有 （ ）
2.
单边突变结【图片】结的空间电荷区主要向P型侧扩展。
3.
对单边突变结提高雪崩击穿电压主要
4.
单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧,最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
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单边突变结
6.
单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。
7.
对于p+n结单边突变结，从p区注入到n区的空穴比从n区注入到p区的电子多得多，称为（ ）。
8.
对于单边突变结，I-V特性由（）决定
9.
以PN结耗尽区内的最大电场|E|max达到临界击穿电场Ec作为雪崩击穿的条件。某硅单边突变结的临界电场Ec为3.5x10^5V•cm-1,开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度为Xd=5.72um,PN结的雪崩击穿电压VB为
10.
单边突变结的（ ）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
11.
单边突变结（one-sided step junction）的特点是
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单边突变结的接触电势差随着低掺杂一边的杂质浓度的增加而( )。
13.
单边突变结p+n结空间电荷区的展宽近似等于（ ）
14.
对于单边突变结，
15.
单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
16.
单边突变结的接触电势差随着低掺杂一边的杂质浓度的增加而降低。
17.
单边突变结的势垒宽度随着低掺杂一边的杂质浓度的大而( )。
18.
推导结型场效应四级管的电流-电压关系，在该四级管中，两个栅极是分开的，两个栅上的外加电压为VG1和VG2．假设为单边突变结．
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对于单边突变结和线性缓变结，空间电荷区宽度的指数分别为（ ）和（ ）。
20.
对于单边突变结，正确的的选项是（ ）
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[名词解释] 单边突变结
22.
对单边突变结，n区掺杂浓度远大于p区掺杂浓度，则构成正偏pn结电流的两个电流的两个分量Ip(xn)和In(-xp)中
23.
单边突变结的势垒宽度随着低掺杂一边的杂质浓度的大而下降。
