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【多选题】
对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有 （ ）
A.
降低轻掺杂一侧掺杂浓度
B.
选用禁带宽度较窄的半导体材料
C.
选用禁带宽度更大的半导体材料
D.
增加轻掺杂一侧掺杂浓度
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】以PN结耗尽区内的最大电场|E|max达到临界击穿电场Ec作为雪崩击穿的条件。某硅单边突变结的临界电场Ec为3.5x10^5V•cm-1,开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度为Xd=5.72um,PN结的雪崩击穿电压VB为
A.
70V
B.
50.5V
C.
100.1V
D.
200.2V
【多选题】单边突变结（one-sided step junction）的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别