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"雪崩击穿"相关考试题目
1.
二极管在击穿时,按照击穿原理分类,可以分为齐纳击穿 型和( ) 型A. 雪崩击穿
2.
PN结的可逆击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿
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一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度 或杂质浓度梯度 a 较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。
4.
提高衬底掺杂浓度,能够有效避免 漏 - 衬底 pn 结雪崩击穿。
5.
理想PN结的雪崩击穿电压随温度增加而略有增加。
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下列关于雪崩击穿描述错误的是
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在重掺杂的情况下,雪崩击穿机构是主要的。
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GTR发生二次击穿时电压未超过雪崩击穿电压。
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单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。
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一旦发生雪崩击穿,稳压管将被损坏
11.
何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点?
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PN结击穿类型中,( )是不可逆的。(A.电击穿;B.雪崩击穿;C.齐纳击穿;D.热击穿)
13.
雪崩击穿二极管(ABD管)反向偏置时,有哪几种工作模式?()
14.
对于BJT而言,正偏的p-n结在电场达到某个临界电场时会发生雪崩击穿。
15.
按击穿的原理区分,PN节的击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿
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何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点?
17.
“雪崩”击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的。
18.
对于一个刚刚雪崩击穿后的二极管来说,只要电源电压保持固定,一般情况下,管子是不会烧坏的。
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当GTR的集电极电压升高至击穿电压时,集电极电流IC迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,称为
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雪崩击穿的主要原因是( ),一般发生在掺杂浓度较( )的PN结中。
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二极管的反向击穿可以分为雪崩击穿和齐纳击穿,这两种击穿发生后,反向电流将随着电压的变化而陡峭增加,断开电源后,这两种击穿可以恢复
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集电结击穿肯定是因为雪崩击穿
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[名词解释] 雪崩击穿
24.
PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。
25.
PN结雪崩倍增因子M→1时,PN结发生雪崩击穿。
26.
齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏?为什么?
27.
按击穿的原理区分,PN结的击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。
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对比雪崩击穿电压和隧道击穿电压的温度系数
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P N 的雪崩击穿电压的大小主要由 P 区的掺杂浓度决定。
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雪崩击穿和齐纳击穿都属于可逆击穿。
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PN结雪崩击穿电压随温度增加而( )
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当单阀内仅剩余1个冗余晶闸管时,或者短时内发生多个晶闸管连续损坏时,应及时申请(),避免发生雪崩击穿导致整阀损坏。
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杂质浓度高的PN结易发生雪崩击穿。 ( )
34.
半导体二极管的PN结的反向击穿分为雪崩击穿和热击穿。
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晶闸管反向电压逐步增大将会引起晶闸管反向击穿,该反向击穿现象称为雪崩击穿。
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雪崩击穿
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雪崩击穿计算击穿场强的理论是
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PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。
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一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度【图片】或杂质浓度梯度a较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。
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一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。
41.
雪崩击穿一般发生在宽厚且 的 PN 结, 而齐纳击穿则发生在薄窄且 的PN结中。(高掺杂,低掺杂)
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一般说来,雪崩击穿电压比隧道击穿电压要高
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对pn结雪崩击穿来讲,决定能否击穿的是结内电场强度,而不是击穿电压。
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PN结有两种击穿方式,分别为雪崩击穿和____
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为了提高雪崩二极管的增益,应使得其工作电压尽量大于雪崩击穿电压
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PN 结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越 ,内建电场的最大值越 ,内建电势 V bi 就越 ,反向饱和电流就越 ,势垒电容 C T 就越 ,雪崩击穿电压就越 。
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pn结雪崩击穿一般发生在势垒区比较窄的情况下。( )
48.
PN结的一旦发生雪崩击穿,就说明PN结损坏了。
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雪崩击穿
50.
共射极接法的双极型晶体管发生雪崩击穿的条件是( )。