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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】触点开断直流电路时，若被开断电路的电流为I， 开断后加在触点上的电压为Uc 。触点的燃弧电流为Irh ，燃弧电压为Urh 。触点的击穿电压为Ujcmin 。则在触点间的液桥断裂后直接生成电弧放电的条件是（）
A.
A.A
B.
B
C.
C
D.
D
【单选题】以PN结耗尽区内的最大电场|E|max达到临界击穿电场Ec作为雪崩击穿的条件。某硅单边突变结的临界电场Ec为3.5x10^5V•cm-1,开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度为Xd=5.72um,PN结的雪崩击穿电压VB为
A.
70V
B.
50.5V
C.
100.1V
D.
200.2V
相关题目：
【单选题】触头间介质击穿电压是指触头间（）
A.
电源电压
B.
电气试验时加在触头间的电压
C.
触头间产生电弧的最小电压
【单选题】在一定温度下，均匀电场气隙的击穿电压是以下哪个参数的函数( )
A.
气体密度
B.
板间距离
C.
气体密度与板间距离的乘积
D.
气体压力
【单选题】PN结击穿类型中，（ ）是不可逆的。（A.电击穿；B.雪崩击穿；C.齐纳击穿；D.热击穿）
A.
电击穿
B.
雪崩击穿
C.
齐纳击穿
D.
热击穿
【单选题】气体间隙的击穿电压与电场是否均匀( )。
A.
无关
B.
有关
C.
视具体情况定
【单选题】以PN结耗尽区内的最大电场|E|max达到临界击穿电场Ec作为雪崩击穿的条件。某硅单边突变结的临界电场Ec为3.5x10^5V•cm-1,开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度为Xd=5.72um,PN结的雪崩击穿电压VB为
A.
70V
B.
50.5V
C.
100.1V
D.
200.2V
【判断题】PN结雪崩倍增因子M→1时，PN结发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
【多选题】()是通过削弱电离过程来提高击穿电压的。
A.
采用高气压
B.
采用强负电性气体
C.
采用高真空
D.
极不均匀电场中的屏蔽
【单选题】330kV变压器绝缘油验收时击穿电压应不低于（）。
A.
70kV
B.
60kV
C.
50kV
D.
40kV
【判断题】火花塞间隙越大，所需的击穿电压就越高。
A.
正确
B.
错误
【判断题】二极管的最高反向工作电压通常为击穿电压的1/4。
A.
正确
B.
错误
【判断题】棒-板间隙只要放置绝缘屏障就能提高气隙的击穿电压。
A.
正确
B.
错误
【单选题】油间隙的冲击击穿电压与工频和直流的击穿电压相比( )。
A.
要高很多
B.
要低很多
C.
基本不变