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【判断题】
一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度 或杂质浓度梯度 a 较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
齐纳击穿
杂质浓度
雪崩击穿
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参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于()mg/L时,将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【判断题】对于一个刚刚雪崩击穿后的二极管来说,只要电源电压保持固定,一般情况下,管子是不会烧坏的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【判断题】PN结雪崩倍增因子M→1时,PN结发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】雪崩击穿计算击穿场强的理论是
A.
电击穿理论
B.
二十代理论
C.
四十代理论
D.
seitaz 理论
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【简答题】二极管在击穿时,按照击穿原理分类,可以分为齐纳击穿型和型
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【判断题】一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度【图片】或杂质浓度梯度a较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3,计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
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【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3,分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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