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【判断题】
单边突变结的势垒宽度随着低掺杂一边的杂质浓度的大而下降。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
杂质浓度
突变结
单边突变结
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为:N d =10 15 cm -3 ,N a =4×10 20 cm -3 .在室温下计算:
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【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于()mg/L时,将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【多选题】单边突变结(one-sided step junction)的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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【单选题】通常情况下,当氧化物在杂质浓度较低时,其在高温条件下引起的扩散主要是()。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3,计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
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【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3,分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数?
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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