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【简答题】
[名词解释] 超突变结
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超突变结
突变结
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参考答案:
参考解析:
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【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为:N d =10 15 cm -3 ,N a =4×10 20 cm -3 .在室温下计算:
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【判断题】假设一个P+N突变结,且 ,则有 。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】假设一个p+n突变结,且,则有。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】若设一个硅突变结,其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3,ND=4.5×1015/cm3,求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时,求xD值。
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【简答题】单边突变结
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【简答题】已知硅的突变结两边掺杂浓度各为NA=1016cm-3,ND=1020cm-3,
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【单选题】对于单边突变结,I-V特性由()决定
A.
过渡区
B.
轻掺杂区
C.
中性区
D.
重掺杂区
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【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为:Nd=1015cm-3,Na=4×1020cm-3.在室温下计算:
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【简答题】超突变结
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【简答题】突变结近似
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【简答题】突变结近似
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【多选题】单边突变结(one-sided step junction)的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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【简答题】[名词解释] 突变结近似
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【简答题】已知一个硅突变结,其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si,已知其μn=100cm2/(V·s),μp=300cm2/(V·s),试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
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【单选题】p + n 突变结的势垒电容,主要随_________而减少。
A.
p 区掺杂浓度的增加
B.
p 区掺杂浓度的降低
C.
n区掺杂浓度的增加
D.
n 区掺杂浓度的降低
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【多选题】对于单边突变结,
A.
耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧
B.
耗尽层宽度主要在重掺杂一侧
C.
内建电势主要降落在轻掺杂一侧
D.
内建电势主要降落在重掺杂一侧
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【简答题】超突变结
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【简答题】[名词解释] 单边突变结
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【单选题】下列PN结中,不属于突变结的是( )。zz
A.
合金结
B.
高表面浓度的浅扩散P+N结
C.
高表面浓度的浅扩散N+P结
D.
低表面浓度的深扩散结
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【简答题】[名词解释] 超突变结
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【判断题】假设一个P+N突变结,且 ,则有 。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【简答题】若设一个硅突变结,其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3,ND=4.5×1015/cm3,求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时,求xD值。
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【简答题】单边突变结
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【单选题】对于单边突变结,I-V特性由()决定
A.
过渡区
B.
轻掺杂区
C.
中性区
D.
重掺杂区
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【简答题】突变结近似
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A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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【简答题】[名词解释] 突变结近似
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【简答题】已知一个硅突变结,其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si,已知其μn=100cm2/(V·s),μp=300cm2/(V·s),试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
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【单选题】p + n 突变结的势垒电容,主要随_________而减少。
A.
p 区掺杂浓度的增加
B.
p 区掺杂浓度的降低
C.
n区掺杂浓度的增加
D.
n 区掺杂浓度的降低
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【多选题】对于单边突变结,
A.
耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧
B.
耗尽层宽度主要在重掺杂一侧
C.
内建电势主要降落在轻掺杂一侧
D.
内建电势主要降落在重掺杂一侧
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【简答题】超突变结
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【简答题】[名词解释] 单边突变结
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【单选题】下列PN结中,不属于突变结的是( )。zz
A.
合金结
B.
高表面浓度的浅扩散P+N结
C.
高表面浓度的浅扩散N+P结
D.
低表面浓度的深扩散结
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【简答题】[名词解释] 超突变结
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