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【单选题】
下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为
，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )
。
A.
B.
C.
D.
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
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【判断题】半导体的功函数决定于费米能级在禁带中的位置。
A.
正确
B.
错误
【单选题】n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。
A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
【判断题】可以用费米能级来表征电子系统的化学势与电化学势。
A.
正确
B.
错误
【单选题】费米能级一般在（ ）。
A.
导带
B.
价带
C.
禁带
D.
不能确定
【判断题】费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
A.
正确
B.
错误
【单选题】逸出功就是电子从费米能级跃迁至真空能级所吸收的能量。
A.
正确。
B.
错误。
【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱
【判断题】半导体的掺杂浓度越高,其费米能级的位置也越高
A.
正确
B.
错误
【单选题】依照费米-狄拉克分布,T=0K时,费米能级以上的量子态( )
A.
被完全占据
B.
被占据的可能为0
C.
被占据的可能为1/2
【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
A.
正确
B.
错误
【单选题】一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )
A.
正确
B.
错误
【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加，导电能力增强
B.
电子浓度不变，导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧，导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱