下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为 ，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( ) 。