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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】关于费米能级，下列说法正确的有（）
A.
半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
B.
掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
C.
半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
D.
费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
【单选题】受主杂质电离后向半导体提供(),施主杂质电离后向半导体提供(),本征激发向半导体提供()。
A.
电子;空穴;电子和空穴
B.
空穴;电子;电子和空穴
C.
电子和空穴;电子;空穴
D.
电子和空穴;空穴;电子
相关题目：
【判断题】实际的PN结，P区和N区杂质浓度相等。 ( )
A.
正确
B.
错误
【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
A.
1/4
B.
3/4
C.
1/3
D.
2/3
【判断题】可以用费米能级来表征电子系统的化学势与电化学势。
A.
正确
B.
错误
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】关于费米能级，下列说法正确的有（）
A.
半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
B.
掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
C.
半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
D.
费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
【判断题】费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
A.
正确
B.
错误
【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
A.
1/3
B.
1/4
C.
2/3
D.
3/4
【单选题】逸出功就是电子从费米能级跃迁至真空能级所吸收的能量。
A.
正确。
B.
错误。
【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
A.
正确
B.
错误
【单选题】一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
【单选题】温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
A.
0
B.
1/4
C.
1/2
D.
1
【单选题】受主杂质电离后向半导体提供(),施主杂质电离后向半导体提供(),本征激发向半导体提供()。
A.
电子;空穴;电子和空穴
B.
空穴;电子;电子和空穴
C.
电子和空穴;电子;空穴
D.
电子和空穴;空穴;电子
【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
【单选题】下列（ ）元素在Si中是形成施主杂质。
A.
B
B.
Al
C.
P
D.
Ge
【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )
A.
正确
B.
错误