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【单选题】
在____中,空穴浓度大于电子浓度。
A.
本征半导体
B.
不存在
C.
N 型半导体
D.
P 型半导体
题目标签:
大于
电子浓度
空穴
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在粱、柱类构件的纵向受力钢筋搭接长度范围内,应按设计要求配置箍筋。当设计无具体要求时,受拉搭接区段的箍筋间距不应大于搭接钢筋较小直径的( )倍。
A.
5
B.
6
C.
7
D.
8
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【简答题】电杆档距不大于多少米?架空线路最大值垂直与地面距离不小于多少米?在运输干道上不小于多少米?
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
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【单选题】楼梯的坡度不大于( )。
A.
38
B.
30
C.
60
D.
45
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【单选题】高层脚手架应安装防雷装置,防雷装置的接地电阻值不得大于()Ω。
A.
4
B.
8
C.
10
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【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
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【单选题】高度大于()米大空间(中庭等)场所,应安装红外探测器或图像型火灾探测器
A.
8
B.
10
C.
12
D.
15
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【判断题】有2个n-Si样品,甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下,这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】变速器传动比大于1,其输出转速(),转矩()。
A.
增加,降低
B.
降低,增加
C.
先增加,后降低
D.
不变
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【单选题】拉出值最大不应大于()mm。
A.
400
B.
450
C.
470
D.
475
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【单选题】15MPa,消火栓间距不大于( )m。
A.
20
B.
40
C.
60
D.
80
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
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A.
5
B.
6
C.
7
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8
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A.
正确
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【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
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正确
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A.
38
B.
30
C.
60
D.
45
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A.
4
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8
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12
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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A.
Yes
B.
No
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】变速器传动比大于1,其输出转速(),转矩()。
A.
增加,降低
B.
降低,增加
C.
先增加,后降低
D.
不变
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【单选题】拉出值最大不应大于()mm。
A.
400
B.
450
C.
470
D.
475
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
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错误
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A.
20
B.
40
C.
60
D.
80
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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