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举一反三
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动，它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动，运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
相关题目：
【判断题】半导体中的空穴芾正电。（）
A.
正确
B.
错误
【多选题】电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。
A.
受主杂质
B.
施主杂质
C.
中性杂质
【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
【判断题】以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体
A.
正确
B.
错误
【单选题】自由电子数多于空穴数的半导体是( )
A.
PN结
B.
P型半导体
C.
N型半导体
D.
本征半导体
【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
【单选题】核周空穴细胞又称为（）
A.
角化细胞
B.
挖空细胞
C.
湿疣细胞
D.
角化不良细胞
E.
产后细胞
【判断题】电子有效质量等于空穴有效质量。
A.
正确
B.
错误
【单选题】在外电场的作用下，空穴与自由电子运动形成的电流方向（）。
A.
相同
B.
相反
【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动，它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动，运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
【单选题】自由电子带负电,空穴带正电。
A.
Yes
B.
No
【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。（ ）
A.
正确
B.
错误
【判断题】半导体中的空穴是带正电的粒子。()
A.
正确
B.
错误
【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？
A.
正确
B.
错误
【单选题】在太阳能电池内，空穴带的是（ ）电。 A负B 正
A.
负
B.
正
【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率