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【简答题】
对于室温下硅材料,假设载流子迁移率分别为μ
n
=1350cm
2
/V·s,μ
p
=5001350cm
2
/V·s,且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10
-19
C,本 征载流子浓度n
i
=10
10
cm
-3
,硅的原子密度为5×10
22
cm
-3
,Nc=Nv=10
19
cm
-3
,k
0
T=0.026eV,ln200=5.3。
试计算问题(2)中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。
题目标签:
杂质半导体
载流子迁移率
载流子浓度
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】对于同种材料,单晶形态的载流子迁移率通常高于多晶形态的载流子迁移率。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】载流子迁移率的量纲是()
A.
m2/(v.s)
B.
m/s
C.
v/m
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【单选题】载流子迁移率的量纲是()
A.
m2/(v.s)
B.
m/s
C.
v/m
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【简答题】说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化?
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【多选题】张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有( )
A.
增加能级分裂,抑制能谷散射
B.
减小载流子有效质量
C.
抑制界面态的库伦散射作用
D.
减小MOS界面粗糙度
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【判断题】减小载流子有效质量与减小散射可以提高载流子迁移率。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】杂质半导体分为()、()
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【判断题】禁带宽度决定半导体的载流子迁移率
A.
正确
B.
错误
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【多选题】决定半导体的载流子迁移率的因素有( )。
A.
禁带宽度
B.
电导有效质量
C.
状态密度有效质量
D.
温度
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【简答题】杂质半导体按导电类型分为________半导体和________半导体。
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