室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁶个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²cm^-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/V·s， 且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm³。