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举一反三
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
【多选题】关于费米能级，下列说法正确的有（）
A.
半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
B.
掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
C.
半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
D.
费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
【单选题】对一定的半导体,其本征载流子浓度( )。
A.
与温度无关，与杂质浓度无关
B.
与温度有关，与杂质浓度有关
C.
与温度无关，与杂质浓度有关
D.
与温度有关，与杂质浓度无关
相关题目：
【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
A.
1/4
B.
3/4
C.
1/3
D.
2/3
【单选题】n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。
A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
【判断题】可以用费米能级来表征电子系统的化学势与电化学势。
A.
正确
B.
错误
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
【多选题】关于费米能级，下列说法正确的有（）
A.
半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
B.
掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
C.
半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
D.
费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
【判断题】费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
A.
正确
B.
错误
【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
A.
1/3
B.
1/4
C.
2/3
D.
3/4
【单选题】逸出功就是电子从费米能级跃迁至真空能级所吸收的能量。
A.
正确。
B.
错误。
【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
A.
正确
B.
错误
【单选题】一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
【单选题】温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
A.
0
B.
1/4
C.
1/2
D.
1
【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )
A.
正确
B.
错误
【单选题】对一定的半导体,其本征载流子浓度( )。
A.
与温度无关，与杂质浓度无关
B.
与温度有关，与杂质浓度有关
C.
与温度无关，与杂质浓度有关
D.
与温度有关，与杂质浓度无关