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【单选题】

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致本征载流子浓度（）。

A.
变大
B.
变小
C.
不变
D.
以上都不对
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题目标签：本征载流子载流子浓度温度升高
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【判断题】光声光谱技术中，特定气体吸收特定波长的红外线后，温度升高，随即以释放热能的方式退激，释放出的热能使气体产生成比例的压力波。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在500K时的电子浓度。
A.
B.
C.
D.
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【单选题】温度升高 100K ,下列反应的 D S ( )。 NH 3 (g) + 3Cl 2 (g) = N 2 (g) + 6HCl (g) △H θ 298 = - 461.5 kJ / mol
A.
>> △S θ 298
B.
<θ 298
C.
≈ △S θ 298
D.
≡△S θ 298
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【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
A.
8.2Ω·cm
B.
47.9Ω·cm
C.
17.4Ω·cm
D.
70.6Ω·cm
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【简答题】某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。
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【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
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【单选题】本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生电子和空穴对，从而形成本征载流子浓度，本证半导体的带电性是（）。
A.
整体不带电，呈中性
B.
带正电
C.
带负电
D.
可能带正电，可能带负电
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【判断题】杂质半导体中少数载流子比本征载流子的浓度小
A.
正确
B.
错误
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【简答题】一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求： （1）平衡少子的密度  （2）材料中施主杂质的密度 （3）电离杂质和中性杂质的密度
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