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【简答题】

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求：
（1）平衡少子的密度 
（2）材料中施主杂质的密度
（3）电离杂质和中性杂质的密度

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题目标签：本征载流子电子密度费米能级
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】​n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。​
A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
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【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
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【单选题】电镜下间期细胞核内电子密度高的物质是(    )。
A.
RNA    
B.
组蛋白    
C.
异染色质
D.
常染色质    
E.
核仁
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【单选题】用电镜观察间期细胞，可见核膜内侧分布有电子密度大的物质，它们是( )。
A.
核仁
B.
核小体
C.
常染色质
D.
Y小体
E.
异染色质
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【判断题】费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】为什么说本征载流子浓度与温度有关？
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【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
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【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )
A.
正确
B.
错误
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