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"淀积"相关考试题目
1.
阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
2.
对芯片互连的金属和金属合金来说,它所必备一些要求是:导电率、高黏附性、淀积、( )、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
3.
掺杂二氧化硅薄膜通常是在PECVD系统中完成淀积的。
4.
sio2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
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常压化学气相淀积的工艺温度为（ ）。
6.
在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。
7.
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
8.
白浆化过程是在季节性还原淋溶条件下，黏粒与铁、锰淋溶淀积的过程。（ ）
9.
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
10.
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
11.
在现代CMOS工艺中，器件的制造需要在晶片上各种材料的淀积，这些材料主要包括： __________ 、__________ 、__________ 和 等；
12.
LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，
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简述淀积膜的过程的三种不同阶段
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SOG平坦化时常常采用三明治结构，其中淀积产生SiO2的方式是
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M地貌的成因可能是①海浪侵蚀 ②珊瑚淀积 ③岩层断裂 ④泥沙堆积
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属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2
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假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
18.
有哪些物理沉积的薄膜方法？它们各有什么优点和限制？哪些薄膜适合于物理淀积？
19.
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。
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CVD主要用于金属薄膜材料的淀积。
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溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
22.
CVD淀积SiO2薄膜过程中主要涉及的运动有哪些。（ ）
23.
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
24.
一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
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如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。
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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
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电阻丝加热蒸发可以淀积难熔金属。
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美国土壤系统分类中10大土纲，荒漠和半漠境的土壤称为（）土纲；有淀积粘化层，并含有中量至高量盐基的土壤称为（）土纲；有淀积粘化层和低盐基的土壤称为（）土纲
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在众多成土过程中，在寒温带针叶林发育的SiO2残留、R2O3及（）淋溶与淀积过程为（）过程。
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PECVD是离子增强化学气相淀积的简称。
31.
硅栅MOS管制作时,下列工艺步骤的正确排列顺序是( )? 1 硅栅淀积 2 栅氧化层制作 3 源漏制作
32.
化学气相淀积是将气态反应剂以合理的流速引入反应室，在基片表面发生（），淀积成（）。
33.
为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？
34.
化学气相淀积在IC工艺中主要沉积哪些类型的薄膜？
35.
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
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二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
37.
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
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热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
39.
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
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低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
41.
在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制
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灰化过程是指在土体亚表层（A2）SiO2残留，R2O3淋溶、淀积的过程。（ ）
43.
数据中台在数据验证过程中沉淀积累（ ），在每轮数据迁移后对底层数据按规则进行全量校验，避免问题重复出现。
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薄膜淀积的目的是什么?
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缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
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蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。
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（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
48.
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
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土体表层三、二氧化物及腐殖质淋溶、淀积而SiO2残留的过程称为（）。
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通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
