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【单选题】

属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2

A.

⑴⑵

B.

⑴⑶

C.

⑵⑷

D.

⑶ ⑷

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题目标签：热分解淀积气相淀积多晶硅

参考答案：

参考解析：

刷刷题刷刷变学霸

举一反三

【单选题】在多晶硅电池片的制备过程中,最重要的步骤是___

A.

清洗制绒

B.

pn结制备

C.

减反膜制备

D.

电极制备

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【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）

A.

利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒

B.

每一炉需要消耗一支坩埚

C.

有种晶、引细颈、放肩过程

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【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

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【单选题】其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.

A.

SiCl4法

B.

硅烷法

C.

直拉法

D.

西门子改良法

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【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。

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【简答题】为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

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【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法

A.

沉积法

B.

直拉法

C.

区熔法

D.

三氯氢硅的氢还原法

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【判断题】在高纯多晶硅中掺入微量的第ⅤA族元素，就形成N型半导体。

A.

正确

B.

错误

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【简答题】铸造多晶硅的制备方法（）和（）

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【简答题】作业2. 多晶硅生产工艺流程及主要设备?

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