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【简答题】

沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

题目标签:电极晶硅多晶硅
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参考答案:
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举一反三

【单选题】图中,两电极上发生的电极反应为:a极:Cu2++2e-=Cub极:Fe-2e-=Fe2+,下列说法中不正确的是(  )

A.
该装置可能是电解池
B.
a极上发生的是还原反应
C.
a、b可能是同种电极材料
D.
该装置在工作时,溶液中的阳离子可能向b极移动

【单选题】中频电疗时电极下发生

A.
电离
B.
电解
C.
电渗
D.
A. 没有电解

【单选题】玻璃电极不包括

A.
Ag-AgCl内参比电极
B.
饱和KCL溶液
C.
一定浓度的HCL溶液
D.
玻璃膜

【单选题】非晶硅平板

A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体

【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()

A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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该装置可能是电解池
B.
a极上发生的是还原反应
C.
a、b可能是同种电极材料
D.
该装置在工作时,溶液中的阳离子可能向b极移动
【单选题】中频电疗时电极下发生
A.
电离
B.
电解
C.
电渗
D.
A. 没有电解
【单选题】玻璃电极不包括
A.
Ag-AgCl内参比电极
B.
饱和KCL溶液
C.
一定浓度的HCL溶液
D.
玻璃膜
【单选题】非晶硅平板
A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极