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"晶硅"相关考试题目
1.
、 太阳能级多晶硅要求碳含量的检测指标控制在（ ）
2.
多晶硅光伏电池与单晶硅光伏电池相比_____，_____，而效率却高于非晶硅电池，并且没有明显的问题。( )
3.
以下工序:1.组件,2.硅片,3.单晶硅棒,4.光伏电站,5.冶金硅,6.石英矿石,7.电池,8.高纯多晶硅料,按照产业链从前往后的排列是: 。(按先后填写序号)
4.
间接转换型平板探测器中,非晶硅光电二极管的作用是( )
5.
2018年6月，中国某公司纯度为的电子级多晶硅投产，这填补了国内半导体级原材料生产的空白，该公司成为继美国Hemlock、德国Wacker之后全球第三大半导体硅材料生产商，全球半导体硅材料产业格局逐渐形成三角之势。这意味着全球半导体硅材料的市场结构目前属于 。
6.
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
7.
大部分的多晶硅基片都是用所谓的铸造法生产的。基片广泛使用（）的角。目前用众所周知的固液界面的（）、液固速度等许多知识的累积来生产铸模。
8.
同质结的、基体材料为单晶硅的、有背场的、外形尺寸为 125mm 的、转换效率为 17.6 的太阳能电池可以命名为 ____________________ 。
9.
微晶硅三结叠层薄膜太阳能电池主要包括（ ）。
10.
某单晶硅样品中每立方厘米掺有1015个硼原子，试计算K300时该样品的准自由电子浓度、空穴浓度以及费米能级。如果掺入的是磷原子它们又是多少？
11.
公司目前的多晶硅产能已经达到 吨/年。
12.
微晶硅薄膜太阳能电池 采用pn结结构。（填“可以”或“不可以”）
13.
单晶硅制备技术
14.
单晶硅的变形也压力成严格的()
15.
单晶硅材料在受到应力作用后,______率发生明显变化,这种现象被称为压阻效应。但是容易受到温______、光照、杂质浓度等影响。
16.
简述单晶硅太阳能电池的特点。
17.
多晶硅实验室最高效率为（ ）。
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微梁的材料包括单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属、聚合物,可用表面牺牲层工艺或体微加工工艺来制作。()
19.
下列属于多晶硅制备的方法有（）
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非晶硅平板
21.
非晶硅探测器四步成像过程不包括( )
22.
铸造多晶硅过程中,跟晶锭下部相比,晶锭上部(最后结晶)的氧杂质浓度偏(),碳杂质浓度偏()。
23.
多晶硅和单晶硅都可作为制作集成电路的材料。
24.
CVD中为了保持非晶硅特性，需要添加的元素是（）
25.
、 我公司三期生产多晶硅工艺与一二期的工艺路线相比，增加了（ ）装置，真正实现了四氯化硅的循环利用。
26.
光伏发电产业链从上游到下游，主要包括的产业链条包括多晶硅、硅片和()
27.
非晶硅平板探测器中，为减少光散射，碘化铯晶体形状加工成（）
28.
单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
29.
非晶硅薄膜材料的结构特点是 程有序， 程无序。
30.
非晶硅薄膜电池生产中第一次激光刻划的是______。
31.
光伏组件类型包括多晶硅电池、（）、非晶硅电池、多元化合物
32.
晶硅电池工业化生产工艺流程中刻蚀的目的是( )
33.
单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈（）。
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(6分)单晶硅是制作电子 集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体 管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为： ①SiO 2 + 2C Si + 2CO ②Si + 2Cl 2 SiCl 4 ③SiCl 4 + 2H 2 Si + 4HCl。回答下列问题： （1）上述反应中，属于氧化还原反应的...
35.
单晶硅是典型的原子晶体,原子以共价键结合,每个原子有 个最近邻。
36.
对于非晶硅型平板探测器说法正确的是
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非晶硅薄膜电池的性能受温度影响比晶硅电池小很多。
38.
可吸人煤尘和（）产生的结晶硅粉尘是空气中最常见的悬浮污染物。
39.
集成电路制造所需的单晶硅纯度在11－12个9。（ ）
40.
硅薄膜电池是制备在聚合物衬底或薄玻璃上的光伏电池结构，单晶硅、多晶硅均可作为其光伏转换材料，但非晶硅不可。
41.
一种传感器产品的名称(如600kPa单晶硅压阻式压力传感器),应由主题词加修饰语构成,其中修饰语由哪几部分组成?
42.
MPX4100A型集成硅压力传感器由哪几部分电路组成？单晶硅压电传感器单元是如何工作的？为什么需要加温度补偿和放大电路？
43.
单晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅棒（）（）太阳电池组件；多晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅碇（）硅片太阳电池太阳电池组件。
44.
新建多晶硅项目规模必须大于( )，占地面积小于6公顷／千吨多晶硅。
45.
非晶硅平板
46.
膜盒式电容气压传感器的感应元件为（）。当大气压力产生变化时，使真空膜盒（包括金属膜盒和单晶硅膜盒）的弹性膜片产生形变而引起其电容量的改变。通过测量（）来计算本站气压。
47.
对钢铁、水泥制造、平板玻璃、多晶硅、煤化工、风电设备六大产能过剩行业的新开工项目，授信必须由总行统一审批。（）
48.
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
49.
多晶硅生产工艺流程如下：（1）粗硅粉碎的目的是。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为。（2）900℃以上， H2与SiHCl3发生如下反应：SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g) ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =。为提高还原时SiHCl3的转化率，可采取的措施有。（3）该流程中可以循环使用的物质是。（4）SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应，可...
50.
下列不属于单晶硅太阳能电池片的生产工序是（ ）
