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举一反三
【单选题】LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
A.
SiCl4 → Si+2Cl2
B.
Si3N4→3Si+2N2
C.
SiH4 →Si+2H2
D.
SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
【单选题】属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2
A.
⑴⑵
B.
⑴⑶
C.
⑵⑷
D.
⑶ ⑷
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
相关题目：
【判断题】外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
A.
正确
B.
错误
【单选题】LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
A.
SiCl4 → Si+2Cl2
B.
Si3N4→3Si+2N2
C.
SiH4 →Si+2H2
D.
SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
【单选题】SOG平坦化时常常采用三明治结构，其中淀积产生SiO2的方式是
A.
PECVD
B.
APCVD
C.
LPCVD
D.
PVD
【单选题】属于化学气相淀积的是( ) ( 1 )蒸发 ( 2 )溅射 ( 3 )硅烷热分解淀积多晶硅 ( 4 )硅烷氧化生成 SiO 2
A.
⑴⑵
B.
⑴⑶
C.
⑵⑷
D.
⑶ ⑷
【单选题】溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.
电子
B.
中性粒子
C.
高能离子
D.
负离子
【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
【多选题】化学气相淀积在IC工艺中主要沉积哪些类型的薄膜？
A.
多晶硅膜
B.
氧化硅膜
C.
金属膜
D.
氮化硅膜
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积