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【判断题】

铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。

A.
正确
B.
错误
题目标签：晶体生长多晶硅硅晶体
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
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【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【判断题】硅晶体结构中原子间结合方式属于离子键
A.
正确
B.
错误
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【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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【判断题】硅晶体的半导体性源于共价键。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列哪种晶体生长机制长大速度最慢（）。
A.
二维晶核长大机制
B.
连续长大机制
C.
螺型位错长大机制
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【单选题】Human beings have used tools for a very long time. In some parts of the world you can still find tools that people used more than two million years ago. They made these tools by hitting one stone agai...
A.
disastrous.
B.
unpredictable.
C.
exciting.
D.
colourful.
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【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
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【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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【单选题】、 改良西门子法多晶硅制取不包括的主要工艺（ ）
A.
精馏
B.
提纯
C.
还原
D.
CDI
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