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"晶体生长"相关考试题目
1.
高温亚稳区是理论上能析晶实际上不能析晶的区域，但其晶体生长速率不为零。
2.
金属铸锭中的柱状晶是由于晶体生长方向与（）造成的
3.
分析晶体生长形态与温度梯度的关系？
4.
晶体的结晶速度越快,晶体生长的越粗大。
5.
1.晶体生长速率类似于（）过程，取决于（）
6.
晶体生长的主要方式是
7.
晶体生长
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固相—固相平衡的晶体生长的优缺点是什么？
9.
水热法的基本原理和优点？简述晶体生长的三个阶段
10.
固液界面结构,主要取决于晶体生长时的 ( )。
11.
成分过冷对晶体生长方式的影响是什么？
12.
半导体晶体生长时，晶面生长越快越容易消失。
13.
晶体生长时，不同晶面的生长速度是
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下列哪种晶体生长机制长大速度最慢（）。
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晶体生长的基本理论是（），（）。
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因晶体生长的各向异性,晶轴都具有一定的晶体学方向。
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说明晶体生长形状与温度梯度的关系。
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影响晶体生长形态的外部因素有哪些？
19.
晶体生长的主要方式是
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下列过程不属于晶体生长步骤的是
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与晶体生长速率相关的因素有()。
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晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。
23.
晶体生长都是层层向外平行推移进行的。
24.
影响晶体生长形态的外因？
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同质多象转变是晶体生长的一种结晶方式。()
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变质处理是改变晶体生长方式,影响晶体生长形貌。
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晶体生长过程的第一步就是形成晶核。
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熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
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晶体生长是层层外推进行的。
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影响晶体生长的主要因素有 、 搅拌 和 温度。
31.
题目：Gd2O3掺杂对GdBa2Cu3O7-δ超导晶体生长的影响
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下列哪种晶体生长机制长大速度最快()。
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在晶体生长的过程中与下列哪个因素无关（）。
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试述控制晶体生长。
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晶体生长过程中产生位错,其主要来源()
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过冷度低时，成核密度低，晶体生长快，易形成粗粒结构。
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简述晶体生长的热力学、动力学和形态学条件。
38.
根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
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晶体生长的界面形态主要与固液界面的形状与温度梯度有关( )。
40.
晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
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题目：大尺寸Fe-Ga合金的晶体生长固-液界面控制
42.
晶体生长方式有液相变固体、汽相变固体和由固相再结晶为固相。()
43.
熔体结晶化过程包括、晶体生长两个过程。
44.
题目：大尺寸Fe-Ga新型磁致伸缩材料的晶体生长研究
45.
晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。
46.
晶体生长的基本理论是（），（）。
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常用半导体材料的晶体生长方向有几种？
48.
影响晶体生长形态的外部因素有哪些？
49.
结晶釉的析晶过程一般分为晶体生长慢速区和快速区。()
50.
在提拉法晶体生长中，晶体旋转对晶体生长有什么影响？
