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【单选题】
晶体生长过程中产生位错,其主要来源()
A.
由于熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体先后凝固部分的成分不同,从而点阵常数也有差异,形成的位错可能作为过渡
B.
由于温度梯度、浓度梯度、机械振动等的影响,致使生长着的晶体偏转或弯曲引起相邻晶块之间有位相差,它们之间就会形成位错
C.
在晶体生长过程中,由于相邻晶粒发生碰撞或液流冲击,以及冷却时体积变化的热应力等原因,会使晶体表面产生台阶或受力变形而形成位错
D.
以上都是
题目标签:
晶体生长
位错
过程
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参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】下列哪种晶体生长机制长大速度最慢()。
A.
二维晶核长大机制
B.
连续长大机制
C.
螺型位错长大机制
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【简答题】如图3-22所示,在相距为h的滑移面上有两个相互平行的同号刃型位错A,B。试求位错B滑移通过位错A上面所需的切应力表达式。 如图3-22所示,在相距为h的滑移面上有两个相互平行的同号刃型位错A,B。试求位错B滑移通过位错A上面所需的切应力表达式。
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【单选题】晶体中的位错属于()。
A.
体缺陷
B.
面缺陷
C.
线缺陷
D.
点缺陷
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【单选题】若系统在运行过程中由于某种硬件故障,致使存储在外存上的部分损失或全部损失,这种情况称为( )
A.
事务故障
B.
系统故障
C.
介质故障
D.
运行故障
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【单选题】位错属于( )缺陷
A.
点缺陷
B.
线缺陷
C.
面缺陷
D.
体缺陷
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【简答题】毒物在体内的代谢过程是怎样的?
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【单选题】目标达成的过程是( )。
A.
决定-行为
B.
信念-决定-结果
C.
决定-行为-结果
D.
信念-行为-结果
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【单选题】在商业行为过程中,从动机到效果,表现为两者的()。
A.
一致性
B.
非一致性
C.
不一定一致
D.
其他
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【判断题】在生产中如有条件,适当地提高系统的温度,对树脂的交换、再生过程等都是有利的。()
A.
正确
B.
错误
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【判断题】金属材料具有高得强度与延展性,而无机非金属材料由于共价键得方向性,位错很难运动所以延展性很差,但就是屈服强度很高
A.
正确
B.
错误
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