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【单选题】

晶体生长过程中产生位错,其主要来源()

A.
由于熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体先后凝固部分的成分不同,从而点阵常数也有差异,形成的位错可能作为过渡
B.
由于温度梯度、浓度梯度、机械振动等的影响,致使生长着的晶体偏转或弯曲引起相邻晶块之间有位相差,它们之间就会形成位错
C.
在晶体生长过程中,由于相邻晶粒发生碰撞或液流冲击,以及冷却时体积变化的热应力等原因,会使晶体表面产生台阶或受力变形而形成位错
D.
以上都是
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参考答案:
参考解析:
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刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】下列哪种晶体生长机制长大速度最慢()。

A.
二维晶核长大机制
B.
连续长大机制
C.
螺型位错长大机制

【单选题】晶体中的位错属于()。

A.
体缺陷
B.
面缺陷
C.
线缺陷
D.
点缺陷

【单选题】位错属于( )缺陷

A.
点缺陷
B.
线缺陷
C.
面缺陷
D.
体缺陷

【单选题】目标达成的过程是( )。

A.
决定-行为
B.
信念-决定-结果
C.
决定-行为-结果
D.
信念-行为-结果