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"硅晶体"相关考试题目
1.
硅晶体中氧的红外特征吸收峰波数为______。
2.
锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。
3.
硅原子结合成为硅晶体是依靠()
4.
常温下硅晶体三极管的U错误E=约为0.7V，且随温度升高而减小。( )
5.
硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
6.
将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）
7.
硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
8.
锗晶体二极管的导通电压约为 0.6-0.8 伏左右,硅晶体二极管的导通电压约为 0.2-0.3 伏左右。
9.
硅晶体结构中原子间结合方式属于离子键
10.
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是
11.
硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（ ）
12.
硅晶体的半导体性源于共价键。()
13.
碳化硅晶体（）
14.
四探针法测硅晶体导电类型的原理是温差电动势法。
15.
当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。
16.
、 硅晶体中对太阳能电池的光电转换效率影响很大是（ ）
17.
为什么石墨化品表面会结有碳化硅晶体？
18.
金刚石和硅晶体的禁带宽度分别为5.5eV和1.2eV。
19.
Human beings have used tools for a very long time. In some parts of the world you can still find tools that people used more than two million years ago. They made these tools by hitting one stone agai...
20.
硅晶体的晶体结构是( )。
21.
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22.
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23.
在纯硅晶体中，掺入施体杂质，则（）
24.
硅晶体属于那种布拉菲格子
25.
常温下，硅晶体三极管的UBE 约为0.7V，且随温度升高而减小。（）
26.
硅晶体的解理面有（）
27.
将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）
28.
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
29.
硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
30.
将硼B元素掺进纯硅晶体内，则成为（）材料.
31.
硅晶体的半导体性源于共价键。
32.
硅晶体三极管发射结的导通电压约为( )V,锗晶体三极管的饱和压降约为( )V
33.
P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。
34.
生产半导体元件的硅晶体、锗晶体都是( )。
35.
下面哪种是硅晶体中的点缺陷？
36.
常温下，硅晶体三极管的U be =0.7V，且随温度升高U be 也增加。
37.
氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。
38.
晶闸管是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅
39.
锗晶体二极管的（）电压降比硅晶体二极管小。（）电流比硅晶体二极管大。
40.
常温下硅晶体三极管的UBE=约为0.
41.
硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V。
42.
As是一种硅晶体材料的掺杂剂，也是一种半导体材料。
43.
硅晶体结构的特点:(1) ;(2) 。
44.
碳化硅晶体（）
45.
硅晶体二极管的正极电位是7V,负极电位是2V,则二极管处于( )状态。
46.
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47.
硅晶体具有典型的半导体材料的电学性质,包括( )。
48.
在硅晶体中，每个硅原子与周围的4个最近邻的硅原子以共价键相连形成 ？
49.
单晶生长的晶向是由籽晶决定的,写出硅晶体生长的三个不同的晶向 、 、 。
50.
本实验的任务是中重建三种材料的单胞结构，分别是 晶体、硅晶体和Ba3Si6N8。
