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举一反三
【多选题】对深宽比大于1的接触孔淀积薄膜,为使接触孔各处的薄膜厚度均匀,可采取的方法有:
A.
采用带准直器的溅射淀积方法；
B.
采用长投准直溅射技术；
C.
采用蒸发的方法；
D.
采用反应离子溅射的方法。
【单选题】下列关于真空蒸发法和溅射法镀膜对比叙述正确的是()
A.
溅射法沉积原子的能量通常更高
B.
真空蒸发法所镀薄膜在基材上的附着力更好
C.
溅射的靶材不能是极难熔的材料
D.
制备合金薄膜时,利用蒸发法其成分的控制性能更好
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
相关题目：
【多选题】尿素溶液蒸发采用真空蒸发法的主要原因是()。
A.
节能
B.
安全
C.
防副反应
D.
防结晶
【多选题】根据对蒸发法的了解,以下哪些蒸发源更适合用于高熔点材料蒸发?
A.
电阻式蒸发源
B.
电子束蒸发源
C.
高频感应蒸发源
D.
激光蒸发源
【单选题】溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.
电子
B.
中性粒子
C.
高能离子
D.
负离子
【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
【多选题】对深宽比大于1的接触孔淀积薄膜,为使接触孔各处的薄膜厚度均匀,可采取的方法有:
A.
采用带准直器的溅射淀积方法；
B.
采用长投准直溅射技术；
C.
采用蒸发的方法；
D.
采用反应离子溅射的方法。
【单选题】下列关于真空蒸发法和溅射法镀膜对比叙述正确的是()
A.
溅射法沉积原子的能量通常更高
B.
真空蒸发法所镀薄膜在基材上的附着力更好
C.
溅射的靶材不能是极难熔的材料
D.
制备合金薄膜时,利用蒸发法其成分的控制性能更好
【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积