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【判断题】

LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

A.
正确
B.
错误
题目标签：淀积质量输运表面反应控制
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【简答题】sio2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
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【简答题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
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【简答题】假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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【单选题】溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.
电子
B.
中性粒子
C.
高能离子
D.
负离子
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【简答题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
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【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
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【简答题】采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
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【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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【填空题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
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【单选题】​通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积
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