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【简答题】

离子注入杂质浓度分布服从高斯分布函数，是杂质浓度最大的位置。（写文字）

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题目标签：离子注入杂质浓度分布函数

参考答案：

参考解析：

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举一反三

【判断题】总体的分布函数一般情况下可以用数学方法推导出来。

A.

正确

B.

错误

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【简答题】离子注入后退火的作用是什么？

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【单选题】在线段[0,1]上面等可能取一个点X是一个随机变量,假如它的概率分布函数是F(t),则F(3)等于多少?

A.

1

B.

3

C.

0.5

D.

0

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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。

A.

硅中的电子浓度远大于锗

B.

硅中的电子浓度远小于锗

C.

硅中的空穴浓度远大于锗

D.

硅中的空穴浓度远小于锗

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【简答题】设X是离散型随机变量，其分布函数为 Y是连续型随机变量，其概率密度为记a=P(X=1)，则概率P(Y≥a)______．

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【简答题】设随机变量X的分布函数为试求X的概率分布

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【单选题】设随机变量X的分布函数为F(x)，则Y=2X+1的分布函数为（）。

A.

A

B.

B

C.

C

D.

D

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【简答题】设连续型随机变量X的分布函数F(x)=A+Barctanx(-∞＜x＜+∞)，求：

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【多选题】离子注入有下面哪种特点：

A.

掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度

B.

掺杂可控性好于扩散

C.

工艺方法简单、成本低

D.

与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小

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【判断题】经验分布函数满足分布函数的性质

A.

正确

B.

错误

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