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【单选题】
④非晶硅只能做
A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
题目标签:
晶硅
非晶硅
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】间接转换型平板探测器中,非晶硅光电二极管的作用是( )
A.
产生荧光
B.
将可见光转换成电荷
C.
将X线光子转换成光电子
D.
将电子转换成光子
E.
将电信号转换为数字信号
查看完整题目与答案
【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
查看完整题目与答案
【简答题】同质结的、基体材料为单晶硅的、有背场的、外形尺寸为 125mm 的、转换效率为 17.6 的太阳能电池可以命名为 ____________________ 。
查看完整题目与答案
【单选题】单晶硅的变形也压力成严格的()
A.
反比
B.
正比
C.
相等
D.
等差
查看完整题目与答案
【多选题】下列属于多晶硅制备的方法有()
A.
硅烷法
B.
流化床法
C.
改良西门子法
D.
浮游带熔融法
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【单选题】非晶硅平板
A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体
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【判断题】多晶硅和单晶硅都可作为制作集成电路的材料。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】非晶硅平板探测器中,为减少光散射,碘化铯晶体形状加工成()
A.
扁平状
B.
针状
C.
颗粒状
D.
圆柱状
E.
粉状
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【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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【简答题】非晶硅薄膜材料的结构特点是 程有序, 程无序。
查看完整题目与答案
【单选题】非晶硅薄膜电池生产中第一次激光刻划的是______。
A.
导电玻璃TCO薄膜
B.
硅膜
C.
金属层
D.
边缘
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【简答题】光伏组件类型包括多晶硅电池、()、非晶硅电池、多元化合物
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【判断题】晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构,而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】④非晶硅只能做
A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
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【单选题】单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈()。
A.
三角形
B.
圆形
C.
倒金字塔形
D.
正方形
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【判断题】非晶硅薄膜电池的性能受温度影响比晶硅电池小很多。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】硅薄膜电池是制备在聚合物衬底或薄玻璃上的光伏电池结构,单晶硅、多晶硅均可作为其光伏转换材料,但非晶硅不可。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】一种传感器产品的名称(如600kPa单晶硅压阻式压力传感器),应由主题词加修饰语构成,其中修饰语由哪几部分组成?
A.
被测量
B.
转换原理
C.
特征描述
D.
主要技术指标
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【简答题】膜盒式电容气压传感器的感应元件为()。当大气压力产生变化时,使真空膜盒(包括金属膜盒和单晶硅膜盒)的弹性膜片产生形变而引起其电容量的改变。通过测量()来计算本站气压。
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【单选题】下列不属于单晶硅太阳能电池片的生产工序是( )
A.
PECVD
B.
丝网印刷
C.
制绒
D.
层压
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D.
将电子转换成光子
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A.
反比
B.
正比
C.
相等
D.
等差
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改良西门子法
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直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
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A.
正确
B.
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A.
扁平状
B.
针状
C.
颗粒状
D.
圆柱状
E.
粉状
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【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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A.
导电玻璃TCO薄膜
B.
硅膜
C.
金属层
D.
边缘
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【判断题】晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构,而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。
A.
正确
B.
错误
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B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
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【单选题】单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈()。
A.
三角形
B.
圆形
C.
倒金字塔形
D.
正方形
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
被测量
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转换原理
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D.
主要技术指标
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A.
PECVD
B.
丝网印刷
C.
制绒
D.
层压
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