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【简答题】

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压 U BE 分别为 0.7 V 和 V 。

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题目标签：发射结锗晶体管硅晶体
参考答案：
参考解析：
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举一反三

【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【判断题】硅晶体结构中原子间结合方式属于离子键
A.
正确
B.
错误
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【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
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【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
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【单选题】Human beings have used tools for a very long time. In some parts of the world you can still find tools that people used more than two million years ago. They made these tools by hitting one stone agai...
A.
disastrous.
B.
unpredictable.
C.
exciting.
D.
colourful.
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【简答题】温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时, β , ,正向发射结电压 , 。
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【单选题】温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
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【单选题】丙类高频谐振功放电路中，静态时，发射结是负偏置，也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
B.
小
C.
等
D.
不确定
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【判断题】晶体三极管工作在饱和状态时，发射结反偏。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
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