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"发射结"相关考试题目
1.
当三极管的发射结 ,集电结 时,工作在放大区;发射结 , 集电结 时,工作在饱和区;发射结 ,集电结 时,工作在截止区。
2.
硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
3.
三极管在放大区的条件是发射结 偏 ,集电结 偏;
4.
一般常温下 , 硅三极管发射结的正向压降为 。 _86">
5.
当NPN型晶体管发射结与集电结都正偏时，晶体管（ ）
6.
三极管工作在放大区时,必须满足发射结为( ) ,集电结为( )的偏置条件。
7.
普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
8.
晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结( ) ;工作在放大区时,集电结( ) ,发射结正偏 。
9.
三极管工作在放大区的条件为:发射结 ,集电结 。
10.
要使三极管工作在放大区,其发射结应( )偏置。
11.
在测试NPN型三极管时，若用万用表测发射结的反向电阻，则插在万用表标有“＋”号插孔的测试棒（通常是红表棒）应接三极管的（）极。
12.
三极管工作在放大区时，发射结和集电结分别处于()。
13.
电路如图所示, , , kΩ,输出电压的调节范围是(),忽略三极管发射结导通压降。
14.
当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
15.
温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时, β , ,正向发射结电压 , 。
16.
温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
17.
锗三极管发射结导通电压为（ ）。 a. 0.2~0.3V b. 0.5V c. 0.6~0.8V
18.
温度升高时，BJT的电流放大系数β（），反向饱和电流ICEO（），发射结电压UBE（）
19.
三极管处于不同工作条件下,发射结和集电结上加的电压不同,当三极管处于截止区时,发射结正向偏置,集电结反向偏置。
20.
晶体管工作在截止区的条件是发射结正偏,集电结反偏。
21.
BJT工作在截止区时，发射结与集电结都处在正偏。（ ）
22.
三极管工作于放大区的条件是BE两端电压大于发射结的门限电压，而且集电结反偏。
23.
温度升高时,BJT的电流放大系数β___ ,反向饱和电流Icbo___, 发射结电压Ube___。
24.
三极管工作在放大区时,发射结为 ,集电结为 ;工作在截止区时,发射结为 ,集电结为 ;工作在饱和区时,发射结为 ,集电结为 。(正偏、反偏、零偏)
25.
集电结正偏，发射结正偏，三极管处于放大区。
26.
当三极管的发射结正偏,集电结正偏时,三极管处于( )。
27.
当晶体管工作在饱和区时,发射结和集电结电压应为( )
28.
温度升高时，三极管的电流放大系数β( )，反向饱和电流ICBO( )；发射结电压UBE( )。
29.
NPN、PNP三极管作放大时,其发射结( )。
30.
晶体管工作在饱和状态的外在条件是发射结正偏，（ ）。
31.
丙类高频谐振功放电路中，静态时，发射结是负偏置，也即基极点位 于反射极点位。
32.
34.当发射结正偏，集电结反偏，此时所在区域是放大区。
33.
通常把晶体管发射结的直流电压叫偏压;偏压作用下的电流叫偏流。
34.
三极管工作在放大区的条件:发射结为( ),集电结为( )。
35.
晶体三极管工作在饱和状态时，发射结反偏。
36.
饱和区发射结正偏,集电结( )。
37.
发射结和集电结全部反偏，三极管工作在（）
38.
温度升高,晶体管的正向发射结电压将增加。
39.
对发射极直接接地的三极管，测量发射结电压与测量()的说法是完全一致的。
40.
当三极管的发射结正偏,集电结正偏时,三极管处于( )。
41.
三极管的内部结构是有 、 基 区、 区及 发射 结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 、 、 集电 极。
42.
发射结的发射效率的涵义是（）
43.
如图所示共射放大电路,已知VCC、Rb、三极管β、三极管发射结导通电压条件下,可以求解放大电路的静态工作点。
44.
三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
45.
三极管的集电结与发射结都处与反向偏值状态，则三极管工作在（）。
46.
只要三极管的发射结、集电结都正偏,就工作在饱和状态。
47.
三极管工作在放大区时,发射结为( ) 偏置,集电结为( ) 偏置。(选填正向或反向)
48.
当晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大区。()
49.
三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。
50.
发射结正偏,集电结反偏,三极管工作在 区;发射结正偏,集电结正偏,三极管工作在 区;发射结反偏,集电结反偏,三极管工作在 区
